硅光电池的光照特性研究性实验报告

前言
    硅光电池分为晶体硅光电池，非晶硅光电池和多晶硅光电池。
晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或N型）硅衬底，通过磷（或硼）扩散形成PN结成制作; a－Si（非晶硅）光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成; P－Si（多晶硅，包括微品）光电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。本实验研究的是晶体硅光电池。
    本实验的目的在于测定硅光电池的光照特性，包括硅光电池的开路电压与入射光强度的关系,硅光电池的短路电流与入射光强的关系,硅光电池输出功率与负载电阻的关系（保持入射光强不变的条件下）。并通过实验的设计和测量学习并掌握电流补偿法。    
实验原理和实验设计思想
     半导体受到光的照射而产生电动势的现象，成为光生伏特效应。硅光电池就是根据光生伏特效应的原理做成的半导体光电转换器件。